RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2561
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link