RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3080
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link