RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2330
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link