RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3188
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link