RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4060
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link