RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3519
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link