RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3158
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link