RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
38
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3871
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link