RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4276
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link