RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2110
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link