RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2356
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link