RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
107
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
107
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1022
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link