RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2790
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link