RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2238
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link