RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1767
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link