RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
74
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
74
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1925
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link