RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4324
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link