RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3164
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link