RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2183
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link