RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
59
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1954
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link