RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
58
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
58
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2108
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link