RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
61
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
61
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1989
2028
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link