RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2034
2890
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link