RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3711
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link