RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
48
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2466
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link