RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比較する
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
総合得点
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
48
周辺 23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
8.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
48
読み出し速度、GB/s
14.7
11.6
書き込み速度、GB/秒
10.6
8.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2438
2466
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link