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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
38
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
5.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
38
読み出し速度、GB/s
9.0
15.5
書き込み速度、GB/秒
5.7
12.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1274
2283
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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