RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
48
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2466
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link