RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
4047
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link