RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3000
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link