RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3771
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link