RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
45
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3702
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link