RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3772
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link