RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2496
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link