RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
84
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
84
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
1614
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link