RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2155
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link