RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
2646
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link