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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
12.2
16.1
写入速度,GB/s
7.9
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2646
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Mushkin 994083 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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