RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
2478
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link