RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
46
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
2478
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link