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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
55
Autour de 47% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
55
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
2701
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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