RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
55
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link