RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
55
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
55
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link