Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 55
    Intorno 47% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 12.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 7.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 55
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.1 left arrow 15.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 13.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2177 left arrow 2701
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RAM 1
RAM 2

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