RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2763
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link