RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3756
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link