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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
11.8
18.7
写入速度,GB/s
8.0
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3756
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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