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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
13.9
15.6
写入速度,GB/s
8.5
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2316
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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