RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
47
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3385
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link