RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
47
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3385
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link